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芯片冷熱沖擊測(cè)試箱

  • 芯片冷熱沖擊測(cè)試箱稱為高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)柜,是金屬、光電、橡膠、塑料、電子等工業(yè)成品或材料行業(yè)必備的溫度極速轉(zhuǎn)換破壞型測(cè)試設(shè)備,常用于測(cè)試產(chǎn)品或材料結(jié)構(gòu)及復(fù)合材料,在瞬間下經(jīng)極高溫及極低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度,得以在追短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。更多了咨詢18033338362
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    芯片冷熱沖擊測(cè)試箱

    設(shè)備介紹:

    芯片冷熱沖擊測(cè)試箱稱為高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)柜,是金屬、光電、橡膠、塑料、電子等工業(yè)成品或材料行業(yè)必備的溫度極速轉(zhuǎn)換破壞型測(cè)試設(shè)備,常用于測(cè)試產(chǎn)品或材料結(jié)構(gòu)及復(fù)合材料,在瞬間下經(jīng)極高溫及極低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度,得以在追短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。更多了咨詢18033338362

    容積50升對(duì)應(yīng)的:寬35x高35x深40cm;

    容積80升對(duì)應(yīng)的:寬50x高40x深40cm;

    容積100升對(duì)應(yīng)的:寬60x高40x深40cm;

    容積150升對(duì)應(yīng)的:寬60x高50x深50cm;

    容積250升對(duì)應(yīng)的:寬70x高60x深60cm;

    容積1000升對(duì)應(yīng)的:寬100x高100x深100cm;更多非標(biāo)的容積可定制。

    高溫 +60~150℃(固定).低溫 A:(-10~ -40℃) B:(-10~ -55℃)D:( -10~ -65℃)(可選擇其中一個(gè)低溫配高溫)

    高溫儲(chǔ)溫箱追高范圍可達(dá):+60 ~200℃.

    低溫儲(chǔ)溫箱追低范圍可達(dá):-10℃~-75℃

    高低溫轉(zhuǎn)換時(shí)間:≤10S

    風(fēng)門啟動(dòng)時(shí)間:≤3S

    高低溫恢復(fù)時(shí)間:3~5min(非線性空載下)

    預(yù)冷區(qū)降溫速度: ≥2℃/min(非線性)

    預(yù)熱區(qū)升溫速度: ≥3℃/min(非線性)

    控制精度:溫度±0.2℃(指控制器設(shè)定值和控制器實(shí)測(cè)值之差)

    溫度波動(dòng)度:≤0.5℃(溫度波動(dòng)度為中心點(diǎn)實(shí)測(cè)高溫度和低溫度之差的一半)

    溫度均勻度:≤2.0℃(溫度均勻度為每次測(cè)試中實(shí)測(cè)高溫度和低溫度之差的算術(shù)平均值)

    控制器采用原裝進(jìn)口微彩色計(jì)算機(jī)液晶顯示觸控式控制器OYO9226S,追多120 程度,3個(gè)段. 每一個(gè)命令可達(dá)999次; 程式段時(shí)間設(shè)定0~99Hour59Min。

    內(nèi)箱材質(zhì):優(yōu)質(zhì)SUS304不銹鋼,具有良好的耐蝕性、耐熱性,低溫強(qiáng)度和機(jī)械特性;沖壓、彎曲等熱加工性好,無熱處理硬化現(xiàn)象(無磁性,使用溫度-196℃~800℃)

    外箱材質(zhì):特殊防銹處理之鋼板噴塑或SUS 304#紋路處理之不銹鋼.

    芯片冷熱沖擊測(cè)試箱控制系統(tǒng): 

    1. 控制器: 日本進(jìn)口OYO9226S控制器,LED數(shù)顯 (P、I、D +S、S、R.)微電腦集成控制器 

    2. 制冷系統(tǒng): 全封閉風(fēng)冷單級(jí)壓縮制冷方式,原裝法國(guó)“泰康”全封閉壓縮機(jī),風(fēng)冷復(fù)迭壓縮制冷方式 

    3. 加熱系統(tǒng): 全獨(dú)立系統(tǒng),鎳鉻合金電加熱式加熱器 

    4. 循環(huán)系統(tǒng): 耐溫低噪音空調(diào)型電機(jī).多葉式離心風(fēng)輪 

    5. 標(biāo)準(zhǔn)配置: 沖擊試驗(yàn)箱配有多層加熱觸霜附照明玻璃視窗1套、試品架2個(gè)、測(cè)試引線孔(50mm)1個(gè) 

    6. 溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間: 從低溫區(qū)到高溫區(qū)或 從高溫區(qū)到低溫區(qū) ≤10S 

    7. 溫度回復(fù)時(shí)間: ≤5min(與溫度恢復(fù)條件有關(guān),既冷卻水溫、暴露溫差、恒溫時(shí)間、樣品重量有關(guān)) 

    8. 溫度沖擊方法: 垂直兩箱法 / 垂直三箱法

    9. 安全保護(hù): 短路、超溫、漏電、電機(jī)過熱、壓縮機(jī)超壓、過載、過電流保護(hù)等眾多保護(hù)保護(hù)整機(jī)安全性能。

     

     

     

    芯片冷熱沖擊測(cè)試箱 芯片高溫測(cè)試箱 內(nèi)箱尺寸1米冷熱沖擊箱

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